Создание современной промышленности бытовых и промышленных осветительных приборов невозможно без организации в России промышленности светодиодов.
Основой светодиода служит многослойная полупроводниковая структура, построенная на первичном слое нитрида алюминия.

На существующих в мире производствах первичный слой нитрида алюминия создается на пластинах из искусственного сапфира. К недостаткам сапфировой подложки относится ее высокая цена, по сравнению с кремниевой, и отсутствие электрической проводимости. Последнее качество усложняет технологию производства светодиодов и соответственно увеличивает их стоимость.

В военной и космической области для увеличения надежности и устойчивости к внешним воздействиям могут применяться также в качестве подложек пластины из монокристаллического карбида кремния, которые обладают необходимыми электрофизическими свойствами. Эти пластины в десятки раз дороже сапфировых и, кроме того, по сути, единственным производителем в мире таких пластин надлежащего качества является американская фирма «CREE Inc.» .

В 1998-2009 годах в НИИ ИП МАШ РАН в городе Санкт-Петербурге  при частном финансировании и под руководством профессора Кукушкина С.А. был разработан метод и создано опытное производство, позволяющее выращивать на стандартных пластинах кристаллического кремния слой карбида кремния толщиной от десятой доли до нескольких десятков микрон. Такая подложка может стать основой для многослойной структуры светодиода, так как на неё известными методами ложится качественный слой нитрида алюминия.  Цена пластины кристаллического кремния с тонким слоем (нанослоем) карбида кремния, пригодным для создания полупроводниковой структуры светодиода,  до десяти раз дешевле  пластины из сапфира и до нескольких сотен раз дешевле пластин из монокристаллического карбида кремния. При этом свойства многослойной полупроводниковой структуры, полученной на кремнии, не уступают по электрофизическим характеристикам, надежности и способности работать в особых условиях структурам на пластинах из кристаллического карбида кремния.

 В России промышленное производство пластин  карбида кремния и пластин с нанослоями карбида кремния отсутствует. Функционирует незначительное количество опытных производств. Потребление данной продукции в России совсем недавно было весьма невелико, теперь отечественные предприятия нуждаются в дешевом сырье для производства приборов электронной техники. Поэтому потенциал отечественного рынка для реализации продукции достаточно велик. Конкурентные преимущества продукта, в основном, определяются преимуществами нового метода выращивания пленок карбида кремния на кремнии. 

Сферы применения пластин карбида кремния на кремнии:

1.Оптоэлектронные приборы - светодиоды,  полупроводниковые лазеры, фотоприемники (солнечные батареи).

2.СВЧ техника - мобильные телефоны; спутниковое ТВ; радары.

3.Полевые транзисторы и тиристоры - Бытовая и цифровая аппаратура, микропроцессоры, холодильники; стиральные машины; микроволновые печи; видеоаппаратура.

4.Высоковольтные приборы и источники питания - биполярные транзисторы и мощные тиристоры для  линий электропередач электропоездов электроприводов.

Объем потребления пластин  монокристаллического карбида кремния в натуральном выражении составил порядка 500.000 штук в 2006 году и увеличился примерно до 600.000 штук к 2007 году. К 2010 году объём потребления может достигнуть более 1.000.000 штук.  Среднегодовой рост потребления пластин карбида кремния в мире составляет около 20% в год. Объем потребления пленок нитрида галлия и нитрида алюминия может составить к 2010 году более 2.000.000 штук каждый.

К поставкам пластин со слоями карбида кремния на кремнии и полупроводниковых структур на их основе проявляют интерес целый ряд заводов и организаций, занимающихся производством и исследованием полупроводниковых структур, в частности немецкая компания Bosch (Robert Bosch GmbH). Фрязинский завод мощных транзисторов заинтересован в покупке всех основных продуктов, заявленных в проекте, а также во внедрении на заводе технологии производства пленок нитрида алюминия и галлия на пластинах с нанослоем карбида кремния на кремнии. ЗАО «Светлана Оптоэлектроника», г. СанктПетербург, также заинтересовано в приобретении пленок нанослоя карбида кремния на кремнии и со слоем карбида кремния толщиной порядка 3мкм и пленок нитрида галлия на нанокарбиде кремния. Заинтересовано в приобретении продукции Федеральное государственное унитарное предприятие «Ростовский-на-Дону научно исследовательский институт радиосвязи», НПК «Микроэлектроника» московское предприятие ОАО «Оптрон», производящее светодиоды и СВЧ-приборы, белорусское НПО «Интеграл», а также целый ряд других предприятий.
В нашей стране несколько предприятий занимаются сборкой светодиодов на основе импортных кристаллов: ОАО "ОКБ "Планета" (Новгород), ЗАО "Протон" (Орел), ЗАО "Корвет-Лайтс" (Москва). Изготовление чипов СИД на основе нитрида галлия начато в ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника" (Санкт-Петербург), которые также являются потенциальными покупателями рассматриваемой продукции.